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低温砷化镓基片外延生长定制

点击次数：155  发布时间：2020/12/28 10:53:40

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公司名称：上海非利加实业有限公司 型 号：LT-GaAs 生产地址：中国大陆 已获点击：155 简单介绍： LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制
GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

详细内容

LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制
LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

产品介绍

LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

 

1、半导体光电子器件结构生长

我们可在GaAs砷化镓基底上生长-高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层，适用于不同应用。

 

2、低温砷化镓

对于某些应用需要快速响应装置，例如光学探测器、可饱和吸收器 或光电导天线。我们提供低温外延生长器件，响应时间短至1 ps。

我们可提供以下在GaAs衬底上生长的个或两个单层的低温砷化镓：

 

产品参数

参数：

砷化镓晶片直径：2“或4”

大薄膜叠层厚度：5μm

 

规格：

LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片

LT-GaAs-100：4“（100mm）LT-GaAs晶片

LT-InGaAs-100：4“（100 mm）LT-InGaAs晶圆

LT-GaA-100-C：具有定制金属结构的4“（100 mm）LT-GaAs晶圆

 LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

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    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

 

1、半导体光电子器件结构生长

我们可在GaAs砷化镓基底上生长-高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层，适用于不同应用。

 

2、低温砷化镓

对于某些应用需要快速响应装置，例如光学探测器、可饱和吸收器 或光电导天线。我们提供低温外延生长器件，响应时间短至1 ps。

我们可提供以下在GaAs衬底上生长的个或两个单层的低温砷化镓：

 

产品参数

参数：

砷化镓晶片直径：2“或4”

大薄膜叠层厚度：5μm

 

规格：

LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片

LT-GaAs-100：4“（100mm）LT-GaAs晶片

LT-InGaAs-100：4“（100 mm）LT-InGaAs晶圆

LT-GaA-100-C：具有定制金属结构的4“（100 mm）LT-GaAs晶圆

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    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

 

1、半导体光电子器件结构生长

我们可在GaAs砷化镓基底上生长-高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层，适用于不同应用。

 

2、低温砷化镓

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我们可提供以下在GaAs衬底上生长的个或两个单层的低温砷化镓：

 

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大薄膜叠层厚度：5μm

 

规格：

LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片

LT-GaAs-100：4“（100mm）LT-GaAs晶片

LT-InGaAs-100：4“（100 mm）LT-InGaAs晶圆

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    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

 

1、半导体光电子器件结构生长

我们可在GaAs砷化镓基底上生长-高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层，适用于不同应用。

 

2、低温砷化镓

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我们可提供以下在GaAs衬底上生长的个或两个单层的低温砷化镓：

 

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大薄膜叠层厚度：5μm

 

规格：

LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片

LT-GaAs-100：4“（100mm）LT-GaAs晶片

LT-InGaAs-100：4“（100 mm）LT-InGaAs晶圆

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    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

 

1、半导体光电子器件结构生长

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2、低温砷化镓

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大薄膜叠层厚度：5μm

 

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LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片

LT-GaAs-100：4“（100mm）LT-GaAs晶片

LT-InGaAs-100：4“（100 mm）LT-InGaAs晶圆

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    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

 

1、半导体光电子器件结构生长

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2、低温砷化镓

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规格：

LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片

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    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

 

1、半导体光电子器件结构生长

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2、低温砷化镓

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大薄膜叠层厚度：5μm

 

规格：

LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片

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    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

 

1、半导体光电子器件结构生长

我们可在GaAs砷化镓基底上生长-高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层，适用于不同应用。

 

2、低温砷化镓

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我们可提供以下在GaAs衬底上生长的个或两个单层的低温砷化镓：

 

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大薄膜叠层厚度：5μm

 

规格：

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    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

 

1、半导体光电子器件结构生长

我们可在GaAs砷化镓基底上生长-高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层，适用于不同应用。

 

2、低温砷化镓

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规格：

LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片

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    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

 

1、半导体光电子器件结构生长

我们可在GaAs砷化镓基底上生长-高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层，适用于不同应用。

 

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规格：

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2、低温砷化镓

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LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片

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规格：

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规格：

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规格：

LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片

LT-GaAs-100：4“（100mm）LT-GaAs晶片

LT-InGaAs-100：4“（100 mm）LT-InGaAs晶圆

LT-GaA-100-C：具有定制金属结构的4“（100 mm）LT-GaAs晶圆 LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

产品介绍

LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

 

1、半导体光电子器件结构生长

我们可在GaAs砷化镓基底上生长-高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层，适用于不同应用。

 

2、低温砷化镓

对于某些应用需要快速响应装置，例如光学探测器、可饱和吸收器 或光电导天线。我们提供低温外延生长器件，响应时间短至1 ps。

我们可提供以下在GaAs衬底上生长的个或两个单层的低温砷化镓：

 

产品参数

参数：

砷化镓晶片直径：2“或4”

大薄膜叠层厚度：5μm

 

规格：

LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片

LT-GaAs-100：4“（100mm）LT-GaAs晶片

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    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

 

1、半导体光电子器件结构生长

我们可在GaAs砷化镓基底上生长-高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层，适用于不同应用。

 

2、低温砷化镓

对于某些应用需要快速响应装置，例如光学探测器、可饱和吸收器 或光电导天线。我们提供低温外延生长器件，响应时间短至1 ps。

我们可提供以下在GaAs衬底上生长的个或两个单层的低温砷化镓：

 

产品参数

参数：

砷化镓晶片直径：2“或4”

大薄膜叠层厚度：5μm

 

规格：

LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片

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    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

 

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我们可在GaAs砷化镓基底上生长-高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层，适用于不同应用。

 

2、低温砷化镓

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我们可提供以下在GaAs衬底上生长的个或两个单层的低温砷化镓：

 

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更新时间：2024/4/19 11:52:31

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