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原子层沉积系统
点击次数：156 发布时间：2020/12/22 10:28:48
公司名称：上海非利加实业有限公司
型 号：PICOSUN™- R系列
生产地址：中国大陆
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简单介绍：
详细内容
PICOSUN
™- R系列原子层沉积系统原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺
原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
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驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
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重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
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衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
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驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
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科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
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多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
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半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺vv原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺原子层沉积系统PICOSUN™- R系列
产品介绍
科研域：原子层沉积系统PICOSUN?- R系列高水平的研究和开发需要好的设备。Picosun ALD是全球ALD设备的导者。PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现佳的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高的，易更换的驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳*米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。在基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完*全分离的源入口匹配多种类型的驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消*除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
产品参数
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高型 技术参数：（其他R系列技术参数请参考HONOPROF网站）
衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片
156 mm x 156 mm太阳能硅片
3D复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll , 衬底大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件 气动升降（手动装载）
预空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动装载，用PICOPLATFORM?200集群系统实现
25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系统实现
驱体 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（多4路气体）
6根独立源管线，多加载12个驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 350 + 200 kg
尺寸（W*H*D） 取决于选件
小 146 cm x 146 cm x 84 cm
大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3工艺
更新时间：2024/4/19 11:52:20
标签：PICOSUN™ - R系列原子层沉积系统
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